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推拉力測(cè)試機(jī)助力功率半導(dǎo)體封裝工藝,揭示鍵合強(qiáng)度評(píng)估方法!

 更新時(shí)間:2025-06-10 點(diǎn)擊量:155

功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域,其可靠性直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。科準(zhǔn)測(cè)控小編認(rèn)為,隨著功率器件向高功率密度、高集成度方向發(fā)展,封裝工藝和鍵合質(zhì)量對(duì)器件可靠性的影響愈發(fā)顯著。失效分析是提升功率半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵手段,而力學(xué)性能測(cè)試(如推拉力測(cè)試)是評(píng)估鍵合強(qiáng)度、芯片粘接質(zhì)量的重要方法。

本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將圍繞功率半導(dǎo)體器件的失效分析,重點(diǎn)介紹Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)的原理、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、儀器特點(diǎn)及測(cè)試流程,幫助工程師系統(tǒng)掌握鍵合強(qiáng)度測(cè)試方法,準(zhǔn)確識(shí)別封裝工藝缺陷,優(yōu)化產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)。

 

一、功率半導(dǎo)體器件失效分析概述

1失效模式分類(lèi)

功率半導(dǎo)體器件的失效模式主要包括:

開(kāi)路失效(鍵合脫落、焊料層斷裂、鋁線斷裂等)

短路失效(鍵合線短路、芯片裂紋導(dǎo)致?lián)舸┑龋?/span>

參數(shù)漂移(熱阻增大、接觸電阻變化等)

機(jī)械失效(芯片破裂、封裝分層等)

其中,鍵合失效(如焊點(diǎn)脫落、引線斷裂)是最常見(jiàn)的失效模式之一,通常需要通過(guò)推拉測(cè)試進(jìn)行定量分析。

二、推拉力測(cè)試原理與標(biāo)準(zhǔn)

1 推拉力測(cè)試原理

推拉力測(cè)試(Bond Pull Test / Shear Test)是一種破壞性力學(xué)測(cè)試方法,用于評(píng)估:

a鍵合線拉力強(qiáng)度(Wire Bond Pull Test

b芯片焊接剪切強(qiáng)度(Die Shear Test

2測(cè)試原理

拉力測(cè)試:使用精密鉤針鉤住鍵合線,施加垂直拉力,測(cè)量鍵合點(diǎn)斷裂時(shí)的最大拉力(單位:gfN)。

剪切測(cè)試:使用測(cè)力探針對(duì)芯片邊緣施加水平推力,測(cè)量芯片脫離基板所需的最大剪切力。

3測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

常用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)包括:

MIL-STD-883(美guo軍yong標(biāo)準(zhǔn))

JEDEC JESD22-B104(鍵合拉力測(cè)試)

JESD22-B109(芯片剪切測(cè)試)

IPC-9701(電子組件可靠性測(cè)試)

典型驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)(以金線鍵合為例):

image.png 

若測(cè)試值低于標(biāo)準(zhǔn),則判定為鍵合不良,可能原因包括:

鍵合參數(shù)(溫度、壓力、超聲能量)不當(dāng)

表面污染(氧化、有機(jī)物殘留)

材料不匹配(線材與焊盤(pán)金屬化層結(jié)合差)

三、檢測(cè)設(shè)備和工具

1Alpha W260推拉力測(cè)試儀

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Alpha W260推拉力測(cè)試儀是評(píng)估導(dǎo)電銀膠力學(xué)性能的專(zhuān)業(yè)設(shè)備,具有以下特點(diǎn):

高精度測(cè)量:采用24Bit超高分辨率數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),確保測(cè)試數(shù)據(jù)的高精度、高重復(fù)性和高再現(xiàn)性。

多功能測(cè)試:支持推力、拉力、剪切力等多種測(cè)試模式,適用于多種封裝形式和測(cè)試需求。

智能化操作:配備搖桿操作和XY軸自動(dòng)工作臺(tái),簡(jiǎn)化了測(cè)試流程,提高了測(cè)試效率。

安全設(shè)計(jì):每個(gè)工位均設(shè)有獨(dú)立安全高度和限速,有效防止誤操作對(duì)設(shè)備和樣品的損壞。

模塊化設(shè)計(jì):能夠自動(dòng)識(shí)別并更換不同量程的測(cè)試模組,適應(yīng)不同產(chǎn)品的測(cè)試需求。

2、推刀或鉤針

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3、常用工裝夾具

image.png 

 

四、測(cè)試流程

步驟一、樣品準(zhǔn)備

確認(rèn)待測(cè)器件封裝類(lèi)型(如TO-247QFNBGA等)。

使用顯微鏡檢查鍵合點(diǎn)狀態(tài),避免測(cè)試已受損樣品。

步驟二、設(shè)備校準(zhǔn)

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)砝碼校準(zhǔn)力傳感器,確保測(cè)試精度。

步驟三、測(cè)試模式選擇

拉力測(cè)試:適用于鍵合線強(qiáng)度評(píng)估。

剪切測(cè)試:適用于芯片焊接質(zhì)量評(píng)估。

步驟四、測(cè)試執(zhí)行

自動(dòng)或手動(dòng)定位測(cè)試點(diǎn)。

設(shè)定測(cè)試速度(通常50-500 μm/s)。

記錄斷裂力值及失效模式(如焊盤(pán)脫落、線頸斷裂等)。

步驟五、數(shù)據(jù)分析

統(tǒng)計(jì)拉力/剪切力分布,計(jì)算CPK(過(guò)程能力指數(shù))。

結(jié)合失效模式,優(yōu)化鍵合工藝參數(shù)。

 

五、典型失效案例分析

1鍵合拉力不足

現(xiàn)象:測(cè)試值低于標(biāo)準(zhǔn),鍵合點(diǎn)易脫落。

原因:超聲能量不足、焊盤(pán)污染、溫度過(guò)低。

解決方案:優(yōu)化鍵合機(jī)參數(shù),提高表面清潔度。

2芯片剪切力低

現(xiàn)象:芯片易從基板脫落。

原因:焊料層空洞、固化不足、CTE不匹配。

解決方案:改善焊接工藝,增加焊料厚度(BLT)。

以上就是小編介紹的有關(guān)于功率半導(dǎo)體器件的失效分析的相關(guān)內(nèi)容了,希望可以給大家?guī)?lái)幫助!如果您還想了解更多關(guān)于功率半導(dǎo)體器件的失效分析實(shí)驗(yàn)報(bào)告、失效分析方法和功率損耗,推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻 ,焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題,歡迎您關(guān)注我們,也可以給我們私信和留言,【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案。

 

 


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